Текст опубликован в личном блоге и его автор не имеет отношения к администрации сайта

Samsung Electronics представила новое поколение памяти для систем искусственного интеллекта (ИИ), рассчитывая укрепить позиции на одном из самых быстрорастущих сегментов мирового рынка полупроводников. На конференции Future of Memory and Storage в американской Санта-Кларе компания анонсировала технологию V10 Bonding V-NAND (BV-NAND), в которой используется более 400 слоёв памяти и новая архитектура соединения пластин (wafer bonding).

Источник изображения: Reuters. URL изображения.

По данным компании, такой подход позволяет увеличить плотность хранения данных на 58% по сравнению с предыдущим поколением V9, одновременно снижая энергопотребление и повышая эффективность работы накопителей. В Samsung отмечают, что развитие генеративного ИИ меняет требования к инфраструктуре: если раньше основной нагрузкой было обучение моделей, то теперь всё большую роль играют системы, обеспечивающие быстрый доступ к огромным объёмам данных во время выполнения запросов пользователей. Именно поэтому производители памяти стремятся увеличить ёмкость и скорость накопителей без существенного роста энергозатрат.

Помимо новой NAND-памяти компания впервые продемонстрировала концепции архитектур zHBM и zNAND-O, предназначенных для будущих ИИ-ускорителей. Технология zHBM предполагает вертикальное размещение памяти непосредственно над вычислительными чипами, что позволяет значительно увеличить пропускную способность и сократить задержки при обмене данными.

В Samsung заявляют, что новая схема способна обеспечить более чем десятикратное увеличение плотности памяти по сравнению с традиционной HBM5, а также примерно втрое повысить энергоэффективность.