В 2008 году физик Венсан Менье предсказал, что при сильном изгибе графена электроны должны перераспределяться и создавать разность потенциалов. Расчеты были убедительными, но проверить их экспериментально тогда не представлялось возможным — никто не мог измерить напряжение на складке толщиной в несколько атомов.

Спустя годы ученые из Университета Райса, пересматривая старые данные измерений, заметили странные электрические сигналы, которые возникали именно в самых острых складках графеновых образцов. Объединив усилия с командой Менье, они применили микроскопическое зондирование, лазерную рамановскую спектроскопию и компьютерное моделирование. И, сравнив сильно искривленные участки с плоским графеном, смогли изолировать эффект чистого изгиба,.

Из-за экстремальной кривизны на наномасштабе поляризация зарядов оказалось в 100 000 — 10 миллионов раз сильнее, чем в макроскопических флексоэлектрических системах, сообщает IE.

Теперь, вместо того чтобы легировать графен химическими добавками (что часто ухудшает его свойства), можно управлять его электроникой через структуру — создавая нужные складки при выращивании или деформации. Это открывает путь к сверхчувствительным датчикам, а также к ультратонкой электронике, где каждый изгиб может выполнять функцию транзистора или диода без дополнительных материалов.

Следующий шаг — контролируемое создание наноструктур с заданной кривизной для конкретных устройств, от гибких дисплеев до наногенераторов энергии, работающих от вибраций.

Одна из разновидностей графена — ромбоэдрический графен — обладает уникальными электронными свойствами и может стать основой для квантовых компьютеров. Раньше его было практически невозможно получить, но недавно китайские исследователи разработали метод контролируемого выращивания ромбоэдрического графена с чистотой более 99% и размером до 160×80 микрометров.