6.5-kV SiC MOSFET reaches 8-kV blocking

Дата публикации: 13-08-2026 03:56:59

NoMIS Power has developed a 6.5-kV large-die SiC MOSFET that has demonstrated over 8 kV of blocking voltage and 90-mΩ on-resistance.
The post 6.5-kV SiC MOSFET reaches 8-kV blocking appeared first on EDN.

Схожие новости

#	Наименование новости	Тональность	Информативность	Дата публикации
1	eFuse speeds overcurrent detection	0	25.47	13-08-2026
2	TSMC & Researchers Make Big Breakthrough In Chip Transistor Technology As Part Of Push Towards Developing Sub-1-nanometer Technologies	0	6.27	07-08-2026
3	В России разработали технологию создания транзисторов из дисульфида молибдена	0	6.57	01-08-2026
4	Casimir Microsparc Target is 40 Microwatts of Continuous Vacuum Energy- One Way Electron Flow	0	11.17	13-05-2026
5	AIデータセンターの高効率化に貢献する、当社最新世代プロセス採用の80V耐圧NチャネルパワーMOSFET発売について	0	5	30-06-2026
6	Разработку резидента ОЭЗ Москвы протестируют на объекте "Федеральной сетевой компании"	0	0	06-08-2020
7	MSI K8NGM2-FID на NVIDIA GeForce 6150	0	18.59	19-03-2006
8	Таинственный производитель чипов запустит корпусирование микросхем под Москвой	0	12.61	24-07-2026
9	NVIDIA’s RTX 50 Super Lineup Might Finally Be Real: RTX 5080 Super Spotted With a 415W TDP	0	9.42	08-07-2026
10	Samsung’s Texas fab enters production for Tesla’s AI5 chip on 2nm	0	17.13	13-07-2026

Классификация: Наука. Схожих патентов: 0. Схожих новостей: 10. Тональность: 0. Информативность: 22.53. Источник: www.edn.com.