Крупнейший в Китае производитель оперативной памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) рассчитывал незаконно получить интеллектуальную собственность Samsung для разработки собственных решений, сообщило издание Maeil Business со ссылкой на показания, данные в рамках соответствующего уголовного дела.

У CXMT не было даже намерения разрабатывать собственную технологию производства DRAM с нуля — кража интеллектуальной собственности у Samsung носила характер стратегического решения, заявили в руководстве корейской компании. Обвинения основаны на показаниях бывшего инженера Samsung, известного под именем Чон (Jeon), который проработал там 28 лет, а в 2016 году перешёл в CXMT. В апреле 2026 года его приговорили в семи годам тюремного заключения за незаконное получение информации о технологическом плане в 600 шагов, касающемся процессов производства DRAM вообще и техпроцесса 18 нм в частности.

Повторение технологического плана не даёт гарантии получения работоспособного процесса, но он может значительно ускорить разработку решения — в нём раскрываются последовательность этапов, условия осаждения или травления, отжиг, очистка, параметры имплантации, температуры, давления, типы инструментов и другие аспекты. При разработке процессов производства памяти этот документ может исключить огромное число проб и ошибок и обозначить схему интеграции. Для гарантированного результата необходимы те же или совместимые средства, и следует надлежащим образом исправить их характеристики.

Технологически план может не раскрывать полной архитектуры транзисторов или физическую конструкцию; разработчикам требуется информация о поперечных сечениях, масках, схемах компоновки, правилах проектирования, размерах устройств, геометрии конденсаторов и о прочих элементах. Эту информацию уже можно получить методами обратного проектирования — объединив эти сведения с технологическим планом, опытный инженер DRAM может восстановить значительную часть технологии. Samsung понадобились пять лет, чтобы разработать всю технологию с нуля.

CXMT, в свою очередь, запустила производство памяти DDR4 в 2019 году на основе техпроцесса 22 нм; массовое производство с использованием технологии 18 нм началось в 2023 году. Возникает вопрос, каким образом CXMT могла разработать память G1 класса 22 нм и как перешла на более совершенный техпроцесс 18 нм. Корейский суд вынес решение, что китайский производитель незаконно присвоил интеллектуальную собственность Samsung.

Источник:

Материалы по теме

Материалы по теме