Вход на сайт

Просмотр новости

Найдите то, что Вас интересует

Новое поколение силовых чипов сможет выдерживать напряжение выше 3400 В

Дата публикации: 30-08-2026 14:40:48

Это более чем пятикратный прирост для использования в будущих электромобилях

Основное содержимое страницы с новостью.

Текст опубликован в личном блоге и его автор не имеет отношения к администрации сайта

Технология, применяющаяся внутри зарядных устройств для телефонов, скоро может найти применение в электромобилях и центрах обработки данных для работы ИИ. Специалисты из Федеральной политехнической школы Лозанны (EPFL) нашли способ заставить используемый там нитрид галлия (GaN) выдерживать напряжение свыше 3400 В.

Исследователям не потребовалось добавлять никаких дополнительных химических веществ для управления зарядом. Вместо этого они спроектировали слои GaN таким образом, чтобы они создавали совпадающие слои положительного и отрицательного заряда. Электричество перестаёт накапливаться в одном месте при выключении транзистора, и электрическое поле распределяется более равномерно.

Способность выдерживать повышенное напряжение даёт возможность создавать более компактную и эффективную силовую электронику. Она может найти применение в электромобилях, системах возобновляемой энергии и дата-центрах.

748803_O.jpgИзображение: jiefeng jiang / Getty Images

При таком подходе исчезает необходимость в преднамеренном легировании для создания балансирующего заряда. Обеспечивающие балансировку заряда легированные структуры могут вести себя нежелательным образом при изменении температуры.

Идею успешно проверили на устройствах со слоями GaN на относительно недорогой кремниевой подложке. Учёные показали диоды Шоттки с напряжением пробоя выше 3900 В при сохранении удельного сопротивления в открытом состоянии всего 4,7 мОм·см². Версии с транзисторами выдерживали напряжение 3,5 кВ в нормально открытом состоянии и 3,4 кВ в нормально выключенном состоянии. Характеристики сохранялись даже при нагревании. В частности, диоды поддерживали напряжение пробоя выше 3300 В при температурах до 125 °C.

Пока речь идёт о лабораторных демонстрациях, в которых подложка является ограничивающим фактором. Использование других подложек потенциально даст возможность получать ещё более высокое напряжение. Кроме того, были разработаны многоканальные GaN-устройства. В них ток распределяется по нескольким проводящим путям, в результате чего уменьшается сопротивление и нагрев.

Схожие новости

#Наименование новостиТональностьИнформативностьДата публикации
1Новак: выработка электроэнергии из возобновляемых источников к 2030 году вырастет в 5 раз0011-02-2022
2Установленная мощность объектов генерации РФ вырастет к 2050 году до 331,2 ГВт0014-04-2025
3Повышение плотности чипов выходит за рамки традиционного масштабирования транзисторов010.3309-07-2026
4Geely разрабатывает 1000-вольтовую систему для сверхбыстрой зарядки электромобилей08.8628-08-2026
5Reuters: автопроизводители планируют потратить $515 млрд на электромобили к 2030 году0010-11-2021
6Intel представила первый энергоэффективный чип на базе AI0021-08-2019
7TSMC планирует повысить цены на производство чипов на 10% в 2027 году010.7922-07-2026
8Россия к 2050 году введет 26 ГВт новых мощностей возобновляемой энергетики0012-05-2025
9Разработаны методы контроля качества полупроводников для электроники будущего0011-03-2025

Классификация: . Схожих патентов: 0. Схожих новостей: 9. Тональность: 0. Информативность: 12.6. Источник: overclockers.ru.