Просмотр новости
Найдите то, что Вас интересует
Спутники
РН
SpaceX
Роскосмос
NASA
СпутникиРНSpaceXРоскосмосNASAОтечественные литографы.
Для тех моих 3 "другов", которым это интересно.
Если лень смотреть, то перескажу вкратце, плюс добавлю свои 5 копеек:
Работа идет, это главное.
На данный момент литограф на 350 нм уже пройденный этап. Напомню, собирали его всем миром, в смысле собрали все наработки, что были в СССР, в России и Белоруссии, и это максимум, что получилось. То есть отставание от мира примерно на 30 лет. Этот уровень даже для самых простых чипов уже мало подходит, но это этап, который необходимо было пройти.
Следующий этап: 130нм, работа над которым идет сейчас.
Тут надо уточнить, что разработка идет в двух направлениях, разрабатывается фактически 2 литографа, и оба они уже есть в железе:
Первый: лазер - 248 нм, способ проецирование - степпер. В видео рассказано что это, но я не буду тратить на это время, главное запомнить, что это более простая и менее производительная конструкция, в сравнении с той, что будет использоваться в более поздних литографах. В литографе на 350 нм используется точно такая же технология. Этого литографа хватит на 130 нм, но это его потолок. И это неплохо, на этом техпроцессе до сих пор выпускаются достаточно простые микроконтроллеры в бытовую технику или автомобилестроение, а также силовая электроника для военных, космоса и прочее.
Второй: значительно более продвинутый литограф. Лазер - 193 нм, способ проецирования - сканер. И вот тут все интереснее. Для него 130 нм это только начало, постепенно его доведут до 65 нм.
Далее должен появиться иммерсионный сканер, и работы по нему уже идут. Это позволит уменьшить техпроцесс до 28-32нм, что уже очень хорошо. Этого техпроцесса уже хватит на полноценные процессоры, типа "Эльбрус" и прочие. А так называемые "14 нанометров" - это уже куча всяких ухщирений, по железу в плане литографа там разницы особой нет. Что для 28 нм, что для 14 - литографы используются практически одинаковые. Значит в перспективе мы сможем дойти и до 14 нм, вопрос времени. Если в течении ближайших лет дойдём до 14 нм, то это сократит наше отставание от мирового производства микроэлектроники до 10 лет.
А дальше уже рентгеновская литография. Тут у нас пал выбор на источник с длиной волны 11,2 нм (ксенон), что даже круче, чем в остальном мире, где была выбрана длина волны - 13,2 нм (олово). При этом олово еще и загрязняет оборудование, а ксенон нет, но ксенон дороже (для нас не критично, у нас свое производство ксенона). А еще у олова выше кпд, то есть больше объемы производства, но для нас это не особо актуально, у нас объемы производства никогда не достигнут общемировых, да нам это и не нужно.
Но использование разных источников создает дополнительные сложности, потому что тут мы опираться на их опыт уже не сможем. Но дорогу осилит идущий.
Отдельно напишу про безмасочные литографы. По ним работа тоже продолжается. Сейчас такие литографы тоже уже есть, на 150 нм. Про них я писал отдельно ранее. Напомню, они сильно проще и дешевле, но объем производства на них сильно ниже, что для нас не критично опять же. Ранее я думал, что мы будем делать ставку именно на них, но нет. Это направление не забрасывается, они будут нужны для опытных партий, либо единичных изделий, то есть штука тоже несомненно нужная, но основная ставка именно на классические литографы.