Название доклада: Высокотемпературные атомные процессы на границе и в объеме элементов кремниевой интегральной фотоники

Высокотемпературные процессы играют ключевую роль в технологиях кремниевой интегральной фотоники, поскольку они определяют структурное совершенство материалов, качество границ раздела и, в итоге, влияют на оптические характеристики интегральных фотонных элементов. Термическое окисление, высокотемпературный отжиг, активация легирующих примесей, рекристаллизация и эпитаксиальный рост используются при формировании волноводов, резонаторов, фотодетекторов и других элементов фотонных интегральных схем. Вместе с тем высокие температуры сопровождаются интенсивной диффузией примесей, генерацией и эволюцией собственных точечных дефектов, изменением шероховатости поверхности, что может приводить как к улучшению, так и к деградации оптических характеристик устройств. В докладе обсуждаются атомные процессы, протекающие в объеме и на поверхности кристаллов. Анализируются процессы зарождения, диффузии и аннигиляции точечных дефектов на границе раздела поверхность кристалл – вакуум, а также в условиях высокотемпературного осаждения металлов и взаимодействия с газовой атмосферой.

К участию приглашаются научные сотрудники, аспиранты, студенты и все заинтересованные.

Координатор семинара: Березина София Вячеславовна